这篇文章是发表在《IEEE Electron Device Letters》上的一篇关于Schottky型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(HEMTs)的正向栅极静电放电(ESD)机理研究的论文。文章由Jiahui Sun等人撰写,使用了基于碳化硅(SiC&a…
线性回归模型yabxe,中的e是
A. 因变量
B. 自变量
C. 误差项
D. 回归系数
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